可控硅開關(guān)和復(fù)合開關(guān)的區(qū)別和價格

可控硅開關(guān)和復(fù)合開關(guān)是現(xiàn)在無功補償裝置主要的投切元件，那么兩者到底區(qū)別在哪里呢？

可控硅開關(guān)也叫無功補償調(diào)節(jié)器，采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔離電路、觸發(fā)電路、保護電路及散熱裝置等元件組成。容易受涌流的沖擊而損壞，因此可控硅必須過零觸發(fā)，當(dāng)可控硅兩端電壓為零的瞬間發(fā)出觸發(fā)信號。過零觸發(fā)技術(shù)可以實現(xiàn)無涌流投入電容器，另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒有限制，可以實現(xiàn)準(zhǔn)動態(tài)補償（響應(yīng)時間在毫秒級）。

可控硅開關(guān) 功耗大體積大

可控硅導(dǎo)通電壓降約為1V左右，損耗很大（以每相額定電流為60A為例，則三相三控可控硅額定導(dǎo)通損耗為60×1×3=180W），必須加裝大面積的散熱片和冷卻風(fēng)機。晶閘管對電壓變化率（dv/dt）非常敏感，遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導(dǎo)通而被涌流損壞，即使安裝避雷器也無濟于事，因為避雷器只能限制電壓的峰值，并不能降低電壓變化率。可控硅開關(guān)反應(yīng)速度快，重復(fù)投切時間短適用于負荷頻繁變化的場合，如軋機、點焊機、行吊等設(shè)備。

而復(fù)合開關(guān)就是把磁保持繼電器和可控硅開關(guān)二者巧妙地結(jié)合來，優(yōu)勢互補，發(fā)揮磁保持繼電器運行功耗小和可控硅開關(guān)過零投切的優(yōu)點，是一個較為理想的投切元件。這種投切開關(guān)不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低，不需要加裝散熱器和冷卻風(fēng)扇。

復(fù)合開關(guān) 投切快功耗小

要把二者結(jié)合起來的關(guān)鍵是相互之間的時序配合必須默契，可控硅開關(guān)負責(zé)控制電容器的投入和切除，磁保持繼電器負責(zé)保持電容器投入后的接通，當(dāng)磁保持投入后可控硅開關(guān)就立即退出運行，這樣就避免了可控硅元件的發(fā)熱。復(fù)合開關(guān)適用于負荷變化不快的城網(wǎng)、農(nóng)網(wǎng)、房地產(chǎn)等場合。

根據(jù)以上對比可以發(fā)現(xiàn)兩者區(qū)別如下：

可控硅開關(guān)

可控硅過零投切，可控硅運行，投切時間≤20ms，涌流小于1.5倍，無過電壓，重復(fù)投切時間≤50ms，具有過溫，缺相保護功能，適用于負荷變化比較快的場合。

可控硅缺點：功耗大，發(fā)熱嚴重，易損壞，產(chǎn)生諧波，價格高。

復(fù)合開關(guān)

復(fù)合開關(guān)選用晶閘管開關(guān)和磁保持開關(guān)并聯(lián)運行，其在接通和斷開的瞬間具有可控硅過零投切的優(yōu)點，而在正常接通期間又具有磁保持開關(guān)零功耗的優(yōu)點。

復(fù)合開關(guān)具有無沖擊、低功耗、高壽命等顯著優(yōu)點，可替代接觸器或晶閘管開關(guān)，廣泛用于低壓無功補償領(lǐng)域。

復(fù)合開關(guān)價格：

名稱	規(guī)格型號	補償方式	匹配電容	價格
智能復(fù)合開關(guān)	dyFK-38-60A-G	三相共補	配1-30Kvar電容器	230
智能復(fù)合開關(guān)	dyFK-400V-80A-G	三相共補	配1-40Kvar電容器	260
智能復(fù)合開關(guān)	dyFK-250V-60A-F	三相分補	配1-30Kvar電容器	230
智能復(fù)合開關(guān)	dyFK-250V-80A-F	三相分補	配1-40Kvar電容器	260